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2022专业技术人员继续教育公需科目集成电路试题及答案

时间:2022-11-19 12:04来源:未知 作者:xiaoxiao

2022专业技术人员继续教育公需科目集成电路试题及答案 1 PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) A、变窄 B、基本不变 C、变宽 D、无法判断 答案:A 2、(单选,5分) 会造成元器件永久性损坏的击穿是( ) A、齐纳击穿 B、雪崩击穿 C、热击穿 答案:C 3、(单选

2022专业技术人员继续教育公需科目集成电路试题及答案

1 PN结加正向电压时,空间电荷区将( )

A、变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法判断

答案:A

2、(单选,5分)

会造成元器件永久性损坏的击穿是( )

A、齐纳击穿

B、雪崩击穿

C、热击穿

答案:C

3、(单选,5分)
当温度升高时PN结反向饱和电流将( )

A、增加

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:A

4、(单选,5分)
二极管的伏安特性可以构造多种等效电路,对于不同的应用场合应选用不同的模型,下列适用于小信号分析的模型是( )

A、理想二极管模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、微变等效模型

答案:D

5、(单选,5分)
稳压管的稳压区是工作在( )

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

答案:C

6、(单选,5分)
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )

A、前者反偏,后者也反偏

B、前者正偏,后者反偏

C、前者正偏,后者也正偏

D、前者反偏,后者正偏

答案:B

7、(单选,5分)
当晶体管工作于饱和状态时( )

A、发射结正偏,集电结正偏

B、发射结正偏,集电结反偏

C、发射结反偏,集电结反偏

D、发射结反偏,集电结正偏

答案:A


8、(单选,5分)

当温度升高时,晶体管的电流放大系数β将( )

A、减小

B、增大

C、不变

D、无法判断

答案:B

9、(单选,5分)
当温度升高时,晶体管的输入特性曲线( )

A、左移

B、右移

C、不变

D、无法判断

答案:A

10、(单选,5分)
当温度升高时,晶体管的输出特性曲线( )

A、上移

B、下移

C、不变

D、无法判断

答案:A

11、(单选,5分)
场效应管属于什么类型的器件( )

A、电压控制电压型

B、电压控制电流型

C、电流控制电流型

D、电流控制电压型

答案:A

12、(多选,5分)
uGS=0V 时能够工作在恒流区的场效应管( )

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

答案:AC

13、(单选,5分)
与双极型晶体管比较,场效应管( )

A、放大能力强

B、放大能力弱

C、输入电阻小

D、输出电阻大

答案:B

14、(单选,5分)
共源放大电路中的场效应管应工作在( )

A、可变电阻区

B、恒流区

C、夹断区

D、击穿区

答案:B

15、(单选,5分)
2000年,( )的成立标志大陆hxexam.com地区开始建立真正意义上的代工厂

A、中兴通讯

B、中芯国际

C、中星微电子

D、华微电子

答案:B

16、(单选,5分)
( )年半导体技术被列为国家四大紧急措施之一

A、1955

B、1956

C、1957

D、1958

答案:A

17、(单选,5分)
( )造假事件对中国集成电路产业的发展带来了巨大负面影响。

A、龙芯

B、汉芯

C、华芯

D、中芯

答案:B

18、(单选,5分)
功能存在冗余是基于IP核复用设计方法的主要缺陷,这一说法是( )的。

A、正确

B、错误

答案:A

(责任编辑:xiaoxiao)


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